【藤沢】デバイスエンジニア※次世代メモリ半導体の開発拠点
想定年収
500万円 ~ 1,300万円
勤務地
神奈川県
従業員数
1,300名（2025年11月現在）
仕事内容
■仕事概要
3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。
主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。
国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。
■具体的な業務内容
下記業務をチームで分担します。
Cell Device:
- 次世代フラッシュメモリ評価。特にセルアレイ動作電圧/タイミングの最適化と信頼性評価
- セルアレイ特性評価結果に基づいた製造プロセス改善への貢献
- セルアレイ特性の量産ばらつきに関する統計的解析
- セルアレイ特性評価テストプログラムの開発
- 初期故障（DPPM）改善のためのスクリーニング・テストの開発
- 電気的手法による故障解析
- 上記に関する海外拠点との協業
- 製品化のステアリング
CMOS Device:
-次世代CMOS (トランジスタおよび受動素子)の電気的評価・解析
-次世代CMOS開発用TEG設計・Design Rule策定
-量産移管に向けたCMOS特性改善(信頼性改善、ばらつき改善など)
-CMOS起因の製品歩留改善のための電気的評価、Spotfire等を用いた統計データ解析
-DPPM(顧客・市場不良率)改善のためのスクリーニング・ストレステストの開発
-後工程拠点(海外)と前工程工場(国内)とのインターフェース業務
■当社で半導体エンジニアとして働く魅力
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができます。最先端の技術を活用し、時代をリードする最先端の製品開発を行うことが可能です。
・比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
ー
募集背景
人員増強のため
募集人数
5人
応募条件
技能/経験
＜必須＞
■数年以上の半導体デバイス/不良解析/テストいずれかの経験
■英語での技術的な会話・技術レポート作成
＜歓迎＞
■C, C++, Python, Java等のコンピュータ言語の深い知識と経験
■大規模データ分析の経験
■NANDフラッシュまたはDRAMデバイスでの業務経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
ポジションによって求められる英語力は異なりますが、全ポジション最低限読み書きレベル以上の英語力が必要です。
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
年俸制
年収：500万円 ~ 1,300万円
月収：42万円～108万円
月額基本給：32万円～84万円
※社内規定および経験・能力を考慮した上で決定 ※みなし残業時間30h/月相当分（92,280円～239,880円）含む ※管理監督者としての採用の場合はみなし残業を含まない
賞与・インセンティブ
※別途、業績賞与制度あり
昇給
有り 年1回
原則として年1回業績により改定することがある
勤務地
神奈川県
■藤沢事業所：〒252-0888 神奈川県藤沢市桐原町1番地（車通勤可）
交通手段1 沿線名：江ノ島 駅名：湘南台 最寄駅から：バス10分
勤務地変更範囲
出向
就業時間
休憩時間：60分
残業：月0時間～30時間程度
裁量労働制（専門業務型）
みなし労働時間 9時間 / 日
残業手当
その他
1日あたりのみなし労働時間 9時間
※標準的な勤務時間帯 9:00-17:30
通勤手当
交通費：一部支給(上限15万円/月（藤沢：自家用車通勤可。ガソリン代・高速料金支給）)
その他手当
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：130
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上
１月入社の場合：24日
２月入社の場合：22日
・・・
12月入社の場合：2日 )
【休日・休暇詳細】
休暇制度（年次有給、傷病、慶弔、リフレッシュ、育児・介護、産前産後）
※年次有給休暇：初年度は入社月によって2日－24日付与(翌年1月より24日付与)
※傷病休暇：年間5日（病気や怪我の際に使用可能）
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
■各種福利厚生
・確定拠出年金（401k）
・入社に伴い転居が必要な方に対する手当（会社規定による）
- 引越手当金
藤沢：独身者/単身赴任者 45万円、家族帯同 75万円
- 家賃補助（最長6年間）
- 帰省費用の補助（入社時単身赴任者に限る/月2回分の往復交通費：最長3年間）
・通勤手当:上限15万円/月
藤沢：自家用車通勤可。ガソリン代・高速料金支給
・自社株購入制度
・団体生命・長期所得補償保険 他
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙（分煙）
備考
ー
選考内容
選考プロセス
適性試験：無し 、 面接回数：2回
求人No.：NJB2381327
最終更新日：2026/5/25
企業情報
企業名
サンディスク合同会社
代表者名
-- --
設立
1992年8月
従業員数
1,300名（2025年11月現在）
資本金
310,000,000円
本社所在地
〒108-0075 東京都港区港南1丁目6番31号 品川東急ビル3F
〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1
〒512-8550 三重県四日市市山之一色町800番地
〒024-8510 岩手県北上市北工業団地5番29号
株式公開
未公開
日系・外資
外資
事業内容
NAND型フラッシュメモリーの開発・生産およびフラッシュメモリー製品の販売
事業に関する特色
SDカードやスマートフォンなどの身近な製品から、大規模データセンターやAI技術、自動運転技術などにも使われる半導体「NAND型フラッシュメモリー」を開発・生産する、世界トップクラスの半導体メーカーです。
1988年に米国で創業し、世界初となるUSBフラッシュメモリーの発売や、世界で初めて大容量microSDカード(1テラバイト)を発売するなど、常にデータストレージ分野をリードし続け、人々を幸せにする役割を担うデータを支えています。
2025年2月、当社はSandisk Corporationとして米国NASDAQへ上場し、新生サンディスクとして新たに生まれ変わりました。
常に革新的な製品を生み出してきたサンディスクの開発拠点は日本にあります。2002年以降、三重県四日市市にあるウェーハ製造工場を通じ、高性能かつ大容量のNAND型フラッシュメモリーを開発・生産し、現在まで数多くの世界初となる技術が生まれています。2019年には岩手県北上市にウェーハ製造の第二拠点となる北上工場第1製造棟が竣工し、2022年には四日市工場第7製造棟が竣工。さらに2024年には、北上工場第2製造棟が完成し、今後も長期的に成長が見込まれるフラッシュメモリーの生産供給に備えて、ここ日本から世界中のお客様へ製品を提供していきます。
会社の特色
■同社の魅力
◇国籍や性別、年齢など、様々なバックグラウンドを持つ世界クラスの優秀なエンジニアが活躍の場を求めて同社にやってきています。ビッグデータ、高速データ、個人データが世界で急速にイノベーションを起こしている現代において、フラッシュメモリの需要はますます拡大しています。
◇キオクシア社との協業で投資やマンパワーなど、リソースを有効活用し、技術成長＝企業成長である半導体業界内でも高いシェアを誇る企業です。闊達な技術開発を促進する社風や、成長を促進する魅力あふれる企業として、今後の成長を目指しています。
◇日本法人では従業員の約90%が半導体エンジニアで構成されています。
その他の特色
【米国本社】
Sandisk Corporation
売上実績
求人No.：NJB2381327
最終更新日：2026/5/25