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大手グループ半導体デバイスメーカー

仕事内容
生成AIの急速な普及により、データセンタ内およびデータセンタ間における通信トラフィックは爆発的に増加しており、これを支える光通信デバイスにはさらなる高速化・高出力化・低消費電力化が求められています。特にEML(変調器集積レーザ)やCWレーザ、波長可変レーザなどの高性能化は、今後の通信インフラの高度化に不可欠な技術領域です。
こうした背景のもと当社では、光半導体デバイスの設計力強化が重要課題となっており、次世代製品開発を担うエンジニアの増員を進めています。加えて、ポテンシャル層についても、育成を通じて設計力を高めていける環境を整備しています。

本ポジションでは、光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等)の設計開発をご担当いただきます。量子井戸構造や屈折率分布、共振器長といったデバイス構造の設計から、試作・評価を経て製品化まで一貫して携わっていただきます。

■主な業務
・光半導体デバイスの構造設計(量子井戸材料・層構造・共振器長・屈折率分布の最適化)
・シミュレーションおよび理論検討による特性設計(自作コード/市販ツール活用)
・試作品の特性評価および信頼性評価
・プロセス開発部門との連携による設計改善・歩留まり向上
・顧客要求仕様に基づく設計仕様の策定および調整

■業務の特徴
・デバイス設計から試作、評価、量産移管まで一貫して関与でき、自身の設計が製品として世に出るプロセスを実感できます。
・プロセス、エピ成長、モジュール開発など複数部門との連携が密で、デバイス全体を俯瞰した開発が可能です。
・材料・構造・光学・電気特性といった多様な要素を統合し、制約条件の中で最適解を導く高度な設計力が求められます。

■本ポジションの魅力
・事業の魅力
生成AIやクラウドサービスの拡大により、光通信デバイス市場は今後も高い成長が見込まれています。同社は光通信向けデバイスでグローバル競争力を有しており、技術開発の成果がそのまま事業成長に直結する環境です。通信インフラの根幹を支える製品に携わることで、社会的インパクトの大きい仕事に関わることができます。

・技術開発環境の魅力
エピタキシャル成長からプロセス、モジュール実装までを一貫して自社内で完結できる体制を有しており、個別技術に留まらない統合的なデバイス開発が可能です。設計と実機評価の距離が近く、高速な改善サイクルを回せる点も特徴です。
・キャリアの魅力

若手でも重要プロジェクトに早期から関与できる文化があり、実力次第で開発の中核を担うポジションを目指せます。将来的には設計リーダーやテクニカルリードとして、後進育成やプロジェクト推進を担うキャリア形成が可能です。
求める経験 / スキル
【必須要件】
下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方

・光半導体デバイスの作り手としての経験:半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器などの構造設計または開発経験
・光半導体デバイスの使い手としての経験:通信機器メーカー、通信モジュール/光トランシーバメーカー、光通信システムメーカー、光計測機器メーカー等のユーザーサイドで、光デバイスを組み込んだ製品の設計・開発・評価を担当された経験
・研究経験:光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する材料・プロセス・構造・測定・物性いずれかの研究経験(ポスドク、修士・博士論文テーマを含む)

【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎します
・EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ等、高速光通信デバイスの設計経験
・量子井戸構造、電界吸収型変調器、DFBレーザの設計経験
・MOCVD等によるエピタキシャル結晶成長の知見
・光通信システム・光ネットワーク設計の経験
勤務地

複数あり

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

大手グループ半導体デバイスメーカー

仕事内容
・GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発(成膜、エッチング、フォトリソ等)
・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化
・複数プロセスのインテグレーション(製品別の技術統合)
・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発
求める経験 / スキル
【必須要件】
下記いずれかに該当する方
・化合物半導体(GaN、GaAs等)のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方

【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
・GaN-HEMTの開発経験
・高周波デバイスに関する知識
・プロセスインテグレーションのご経験
・量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験
勤務地

山梨県

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

仕事内容
■主な業務
・GaN-HEMTトランジスタのシミュレーションモデル開発
・顧客向けシミュレーションモデルの作成・提供
・高周波回路技術の開発
・GHz帯の高周波特性評価・解析
・数学を用いた計算・式作成・シミュレーション

■業務の特徴
・モデリング・シミュレーションを担うチームに配属。顧客が製品を使いこなすための技術的な「翻訳者」の役割を担います。
・デバイス設計やプロセス開発との連携を通じて、デバイスの物理からシステム応用までの広い視野が得られます。
求める経験 / スキル
【必須要件】
下記いずれかに該当する方
・半導体トランジスタのモデリング経験をお持ちの方
・高周波回路技術の開発経験をお持ちの方

【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
・GaN-HEMTのモデリング経験
・GHz帯の高周波特性評価のご経験
・数学的バックグラウンド(計算・式作成・シミュレーション)
・顧客向けシミュレーションモデル作成のご経験
勤務地

複数あり

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

日系半導体デバイスメーカー

仕事内容
■職務内容
化合物半導体用の原材料・副資材・外注委託・製造装置などの調達ならびに貿易・物流業務をお任せします。

■具体的にお任せする業務
・サプライヤとの折衝(価格・納期・取引条件)
・社内購入依頼部門との調整業務
・サプライヤパフォーマンス評価
・購買部門全体のマネジメント
・調達力強化、マネジメント向上に向けた仕組みの構築
・供給リスク対策(BCP、コンプライアンス、環境他)
求める経験 / スキル
①応募資格(資格/専門知識/能力)
・製造業での原材料・副資材・外注委託の調達実務経験
・製造業での施設・工事・設備調達経験
・ビジネスで一般的に必要とされるレベルの
 Excel,Powerpoint,Wordスキル

②語学力(英語/その他言語等)
・英語(日常会話レベル)または中国語(日常会話レベル)

③以下の経験を・技術をお持ちの方を歓迎します。
・下請法など調達業務に関連する法律知識を保有されている方。
・簿記などの会計に関する知識をお持ちの方。年数回の海外出張が対応可能な方。
・プログラミングスキル(VBAやPythonなど)をお持ちの方。
勤務地

山梨県

想定年収

480 万円 ~ 800 万円

大手半導体デバイスメーカー

仕事内容
■職務内容
高速光デバイス・の品質保証を担当し、製品開発からモノづくりまで横断的に携わっていただきます。
製品開発では、デバイスの信頼性、故障メカニズムを加速寿命試験、故障解析で定量的に評価し、寿命予測、原因の解明、その改善を担当します。
また、客先、市場で発生した製品故障の原因調査、その改善を担当します。
グローバルな環境で、長期的なキャリア形成を目指すことができます。

■具体的にお任せする業務
・高速光デバイス製品の信頼性試験
・分析機器を用いた故障解析
・サプライヤ・外注の認定・品質管理
・客先、市場で発生した品質問題の故障解析、原因調査
求める経験 / スキル
【必須要件】
・意欲があり、前向きに物事を考えられる方
・日常会話程度の英語力

【歓迎要件】
・海外拠点との業務経験をお持ちの方
・信頼性試験や分析技術の業務経験をお持ちの方
・品質保証の業務経験をお持ちの方
勤務地

山梨県

想定年収

480 万円 ~ 800 万円

大手日系半導体デバイスメーカー

仕事内容
①職務内容
半導体レーザ(主にDFBレーザ)および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発

②具体的にお任せする業務
顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発、部下の指導をお願いします。
求める経験 / スキル
■必須要件
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
・光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験者

■歓迎要件
・化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験がある方
・高周波回路設計の経験がある方
・半導体デバイスの信頼性評価の経験がある方
・データ分析による半導体デバイス不良解析の経験がある方
・半導体デバイス評価装置開発の経験がある方
勤務地

複数あり

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

大手グループ半導体デバイスメーカー

仕事内容
①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線(電極材料、層間絶縁膜、平坦化)技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発(基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術)
④受動素子(キャパシタ、インダクタ、抵抗)形成プロセス開発
*保有スキルにより業務振り分けは可能。

自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さも魅力です。

キャリアパスの機会は新卒採用者に準じて提供します。
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・グループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供
求める経験 / スキル
<必須要件>
以下のいずれかの経験をお持ちの方  
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者  
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者  
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者  
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
勤務地

山梨県

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

仕事内容
・半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術担当

自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さも魅力です。

キャリアパスの機会は新卒採用者に準じて提供します。
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・グループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供
求める経験 / スキル
<必須要件>
・半導体ウェハの個片化加工、個片化素子の特性検査、個片化素子外観検査、誘電体多層膜成膜等のユニットプロセスの全てまたはいずれかに関するスキルをお持ちの方。
勤務地

山梨県

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

大手グループ半導体デバイスメーカー

仕事内容
・化合物半導体ウェハプロセスに関する製造技術担当(前工程・後工程でいずれかの工程を担当いただきます)
・増産のための装置導入、立ち上げ
・歩留改善
・短期間の海外出張もあり

自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さも魅力です。
求める経験 / スキル
下記半導体製造プロセスの下記のうちいずれかまたは複数のスキルをお持ちの方
・成膜(CVD)
・フォトリソグラフィ
・スパッタリング
・蒸着
・ドライ/ウェットエッチング
・裏面研磨
・チップ化加工
・端面膜形成
・チップ検査
勤務地

複数あり

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

仕事内容
・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術担当

自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さもあります。

キャリアパスの機会は新卒採用者に準じて提供します。
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・グループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供
求める経験 / スキル
<必須要件>
MOVPE, MOCVD装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方。
勤務地

複数あり

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

仕事内容
①携帯電話基地局向けGaN-HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発
②顧客向けドハティ増幅器の設計開発
③高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析
④試作品の高周波特性、信頼性評価
⑤高周波パッケージ開発、および生産技術
⑥パッケージ技術開発、試作、製造立上
⑦製造工程の問題に対する改善検討
*保有スキルにより業務振り分けは可能。

■当社の化合物半導体
化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。
求める経験 / スキル
以下のいずれかの経験をお持ちの方  
・高周波、高出力増幅器の設計開発経験  
・高周波(GHzオーダー)RF測定スキル  
・高周波シミュレータADS、MWOを使った設計経験、電磁界解析経験  
・高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験  
・パッケージ製造装置の選定/導入/立上げ経験  
・CAD等による作図経験  
・機構部品の信頼性試験、解析
勤務地

山梨県

想定年収

450 万円 ~ 800 万円

ローム・デバイス マニュファクチャリング株式会社

仕事内容
■仕事の内容
半導体業界の中でも「高耐圧・大電流」の分野に強みを持ち、自動車市場を中心に競争優位性を強めている同社で、LSIウエハプロセスのプロセス改善を担当していただきます。
半導体製造プロセスには「リソグラフィ」「エッチング」「薄膜」「拡散」の大きく分けて4つの工程がありますが、今回は「拡散工程」のプロセス担当として業務を推進していただきます。

・量産品の品質監視・生産トラブル原因調査・担当装置、工程の製造レシピ改善・新規装置立上げ・新規材料の導入評価

【働く環境】
静岡県の「働き方改革アワード」で表彰される等積極的に労働環境の改善に取組んでおり、2021年度の年休取得率も75%を超えています。
求める経験 / スキル
【必須】機械もしくは電気に関する業務経験者

【歓迎】生産技術経験

※入社後はOJT/自社研修施設での研修を始め、専門性を高めて頂けるような教育体制が整っております。
従業員数
776名 (2026年4月1日現在)
勤務地

静岡県

想定年収

570 万円 ~ 900 万円

従業員数
776名 (2026年4月1日現在)

ローム・デバイス マニュファクチャリング株式会社

仕事内容
■仕事の内容
EV・PHV車/産業ロボット等の高電圧な回路の制御や、クルマの自動運転等に必要となる複雑な制御等、最先端の分野で活躍するIC/LSIのウエハプロセスを担当する同社で、生産設備をメインとした生産技術職を担当。
入社後はOJT/社内研修施設でのOffJTの両面で、製品や業務についての知識を習得しながら、まずは1台の設備メンテナンスを習得頂きます。将来的には装置の改善/改良を行い、工程全体/工場全体を見て頂く基幹人材になる事を期待しています。

【働く環境】
静岡県の「働き方改革アワード」で表彰される等積極的に労働環境の改善に取組んでおり、2021年度の年休取得率も75%を超えています。

【魅力】
機械/電気に加え、ガス/薬品/熱等扱う知識が広く、スキルUPが可能
社風として、失敗に囚われず新しい挑戦が出来る環境です
求める経験 / スキル
【必須】生産技術職のご経験
従業員数
776名 (2026年4月1日現在)
勤務地

静岡県

想定年収

520 万円 ~ 900 万円

従業員数
776名 (2026年4月1日現在)

YITOAマイクロテクノロジー株式会社

  • 外資系企業
仕事内容
【業務内容】
•役員(主に会長)のスケジュール管理・調整
•会議・商談の際の日・中通訳(逐次・同時通訳)
•会議の議事録作成
•会議で使うプレゼン資料などの各種資料作成
•海外顧客や取引先とのメール・書類作成(日・中)
•出張手配(航空券・ホテル・交通機関等の予約)
•出張同行(国内、海外)
•その他役員秘書業務全般
求める経験 / スキル
•日本語・中国語の語学力(読み書き・会話)
 日本語:ネイティブ
 中国語:ビジネスレベル
•通訳・翻訳の実務経験(特にビジネス・会議通訳経験者歓迎)
•役員秘書の経験がある方優遇
•PCスキル(Word・Excel・PowerPoint等)
従業員数
246名 (2025年4月現在)
勤務地

山梨県

想定年収

300 万円 ~ 600 万円

従業員数
246名 (2025年4月現在)

ベリフィケーションテクノロジー株式会社

仕事内容
在宅勤務にてLSI設計/検証エンジニアとしてご活躍いただける方を全国より募集いたします。
(※基本は在宅勤務ですが、研修や打合せの為の関東への出張はあります。)

当社は創業以来LSI検証技術を核とした事業を行っております。LSI設計・検証受託事業のみならず機能安全認証に向けたコンサルティングサ
ービスを提供しています。
従来のLSIデザインハウスという業態から「LSIの安全・安心を担保する会社」へ業態を変え、より高度な技術を追求することで今後も様々なサービスを市場へ投入して参ります。

【業務内容】
■車載や産業用機器に内蔵される先端のデジタルLSIの回路設計/稼働検証(*主に2~5名のユニットでプロジェクトを遂行) 
・単なるRTL設計や検証だけでなく、フォーマル検証やSystem Verilogを用いた検証環境の自動化など、高度な検証技術を付加価値として開発を行います。
現在のLSIはCPUが内蔵されるなど、システムの1チップへの集約が進んでいるため開発段階からどのように性能を高めるかを提案できることが今後重要になると考え、フォーマル検証や高位設計の研究も行っています。
・車載向けの半導体では、機能安全規格(ISO26262)への対応が必須になっており、機能安全分野の業務拡大にも取り組んでいます。
求める経験 / スキル
【最低限必要な経験・資格】
■LSI/FPGAの回路設計・経験(Verilog・VHDLでの設計・検証経験)15年以上

【次のいずれかに該当するエンジニアは尚可】
●画像処理回路の設計経験
●車載向けLSIの設計経験
●高速IFを搭載したLSIやFPGAの設計経験
●英会話能力
●プロジェクトマネージメント経験
従業員数
90名 (国内外合計(役員除く))
勤務地

複数あり

想定年収

540 万円 ~ 600 万円

従業員数
90名 (国内外合計(役員除く))

半導体デバイスメーカー

  • 外資系企業
仕事内容
国内外の大手電機メーカーに向けたIP(開発・設計データ)仕様構想、開発-評価までをご担当いただきます。
【具体的には】
・顧客要求や構想に基づいたIPの仕様決め
・カスタマイズ設計、評価、製品の担当者として着任していただき、構想設計~評価までお任せいたします。
当社製品はほぼオーダーメイドで、平均3~6ヶ月の期間で担当していただきます。
<業務例>
・自動車:車載カメラ向けASIC/FPGAの設計、評価、障害解析
・医療:エアフローセンサー開発における設計
・電化製品:監視カメラ向けLSI論理回路設計、スマートフォン、タブレット用LSIのRTL設計
・検証、通信機器におけるロジック回路の設計
・検証など
求める経験 / スキル
【必須要件】※下記いずれかを満たす方
■デジタル回路設計の設計経験
■ソフトウェア(C言語)を業務で使用していた方
■ビジネスレベルでの英語ができる方

【歓迎要件】
■FPGA設計経験
■ASIC設計経験
■LSIバックエンド(レイアウト設計)経験
■RTL回路設計・RTL回路検証の経験

<語学力>
必要条件:英語中級
勤務地

山梨県

想定年収

600 万円 ~ 900 万円

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