光半導体レーザー開発
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
神奈川県 山梨県
仕事内容
①職務内容
半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、評価、結晶成長、プロセス技術開発
②具体的にお任せする業務
顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発、部下の指導をお願いします。
募集人数
5人
応募条件
技能/経験
■必須要件
・半導体レーザ設計従事経験者
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験者
・光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験者
■歓迎要件
・化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験がある方
・高周波回路設計の経験がある方
・半導体デバイスの信頼性評価の経験がある方
・データ分析による半導体デバイス不良解析の経験がある方
・半導体デバイス評価装置開発の経験がある方
学歴
高専
職務経験
要 (3年以上)
業界経験
ー
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
TOEIC550点以上（必須ではありません）
中国語ができる方歓迎
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～40万円
月額基本給：28万円～40万円
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：4.9ヶ月
6月、12月支給
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県 山梨県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～40時間程度
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：123
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 初年度最高20日※初年度は入社月により異なります。
積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2374855
最終更新日：2026/4/20