高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
山梨県
仕事内容
①携帯電話基地局向けGaN－HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発
②顧客向けドハティ増幅器の設計開発
③高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析
④試作品の高周波特性、信頼性評価
⑤高周波パッケージ開発、および生産技術
⑥パッケージ技術開発、試作、製造立上
⑦製造工程の問題に対する改善検討
＊保有スキルにより業務振り分けは可能。
■当社の化合物半導体
化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能です。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・高周波、高出力増幅器の設計開発経験
・高周波(GHzオーダー)RF測定スキル
・高周波シミュレータADS、MWOを使った設計経験、電磁界解析経験
・高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験
・パッケージ製造装置の選定/導入/立上げ経験
・CAD等による作図経験
・機構部品の信頼性試験、解析
学歴
高専
職務経験
要
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
TOEIC：500点以上
その他語学力
語学力詳細
不問
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(３ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～40万円
月額基本給：28万円～40万円
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：5.0ヶ月
6月、12月支給
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
山梨県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～40時間程度
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：121
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 初年度最高20日※初年度は入社月により異なります。
積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2107939
最終更新日：2024/10/3