半導体ウェハプロセス開発者（電子デバイス）
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
山梨県
仕事内容
・GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発（成膜、エッチング、フォトリソ等）
・ユニットプロセスの加工条件開発・最適化
・複数プロセスのインテグレーション（製品別の技術統合）
・新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発
募集人数
ー
応募条件
技能/経験
【必須要件】
下記いずれかに該当する方
・化合物半導体（GaN、GaAs等）のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
・半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方
【歓迎要件】
下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします
・GaN-HEMTの開発経験
・高周波デバイスに関する知識
・プロセスインテグレーションのご経験
・量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験
学歴
高専
職務経験
不問
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3か月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～40万円
月額基本給：28万円～40万円
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：2025年度実績 5.3ヶ月
6月・12月
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
山梨県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：123
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 初年度最高20日※初年度は入社月により異なります。
積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2390893
最終更新日：2026/6/24