半導体／北米の求人・転職情報
5件中の1〜5件を表示
Rapidus株式会社
仕事内容
【業務内容】
2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発におけるTEGレイアウト設計とプロセスインテグレーション業務を担っていただきます。
プロセス・プロセスインテグレーション技術者と協働しながらTEGレイアウト設計を主軸に業務を進めていただきます。
2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発におけるTEGレイアウト設計とプロセスインテグレーション業務を担っていただきます。
プロセス・プロセスインテグレーション技術者と協働しながらTEGレイアウト設計を主軸に業務を進めていただきます。
求める経験 / スキル
【専⾨性】
・半導体TEGレイアウト設計（ディジタル回路論理設計、レイアウト設計、設計フロー構築、自 動配置配線ツール、PCell (Parameterized Cell) 設計）
半導体製造工程においてのプロセスインテグレーションいずれかの経験がある方。
・プロセス・プロセスインテグレーション技術者、社内部門（PDK、デバイス）との連携を図り、効果的な技術開発をリードできる方。
・Xインテグレーションエンジニア (XI Enginner: Crossover Integration engineer) として、半導体TEGレイアウト設計、Kerf設計、Mark設計を主業務としながらプロセスインテグレーション業務も一部担うクロスオーバースキルを活かしながらより高度な2nm世代、Beyond 2nm世代の技術開発基盤を支える創造的TEG設計に従事していただきます。
【経験】
大卒以上のTEGレイアウト設計実務、フロントエンドプロセス技術開発実務、研究等の経験者（5年以上）または大学院（修士課程）修了以上 ※修了見込含む
【語学⼒】
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
日本語 JLPT：N3取得済み、もしくは同等程度の語学力
・半導体TEGレイアウト設計（ディジタル回路論理設計、レイアウト設計、設計フロー構築、自 動配置配線ツール、PCell (Parameterized Cell) 設計）
半導体製造工程においてのプロセスインテグレーションいずれかの経験がある方。
・プロセス・プロセスインテグレーション技術者、社内部門（PDK、デバイス）との連携を図り、効果的な技術開発をリードできる方。
・Xインテグレーションエンジニア (XI Enginner: Crossover Integration engineer) として、半導体TEGレイアウト設計、Kerf設計、Mark設計を主業務としながらプロセスインテグレーション業務も一部担うクロスオーバースキルを活かしながらより高度な2nm世代、Beyond 2nm世代の技術開発基盤を支える創造的TEG設計に従事していただきます。
【経験】
大卒以上のTEGレイアウト設計実務、フロントエンドプロセス技術開発実務、研究等の経験者（5年以上）または大学院（修士課程）修了以上 ※修了見込含む
【語学⼒】
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
日本語 JLPT：N3取得済み、もしくは同等程度の語学力
従業員数
1,024名
勤務地
複数あり
想定年収
非公開
従業員数
1,024名
仕事内容
下記業務に携わっていただきます。
１） 先端ロジック半導体開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。
２） 電気特性検査（パラメトリックテスト、ファンクションテスト)を主にご担当いただき、その他メトロロジー検査データ、欠陥検査データ、その他回路図/レイアウト図など設計データを統合的に解析・解釈して、歩留まり向上へのアクションを策定する。
１） 先端ロジック半導体開発における主にデバイス、論理ブロックの評価解析業務を担っていただきます。
２） 電気特性検査（パラメトリックテスト、ファンクションテスト)を主にご担当いただき、その他メトロロジー検査データ、欠陥検査データ、その他回路図/レイアウト図など設計データを統合的に解析・解釈して、歩留まり向上へのアクションを策定する。
求める経験 / スキル
＜必須要件＞
【専門性】
■下記「いずれか」の経験がある方
・評価：パラメトリックテスト、ファンクションテスト結果からデバイス特性の確認を行うことができる方
・解析：電気特性テスト結果と回路設計データなど統合的に解析し、回路やプロセスの脆弱性を特定・改善することができる方
（以下は必須）
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
【語学】
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜歓迎要件＞
・テストプログラム（パラメトリック、論理ブロック、メモリーいずれかあるいは複数）作成のご経験
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
【専門性】
■下記「いずれか」の経験がある方
・評価：パラメトリックテスト、ファンクションテスト結果からデバイス特性の確認を行うことができる方
・解析：電気特性テスト結果と回路設計データなど統合的に解析し、回路やプロセスの脆弱性を特定・改善することができる方
（以下は必須）
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
【語学】
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜歓迎要件＞
・テストプログラム（パラメトリック、論理ブロック、メモリーいずれかあるいは複数）作成のご経験
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
勤務地
複数あり
想定年収
非公開
Rapidus株式会社
仕事内容
2nmプロセスにおける、ESD素子の開発またはラッチアップ対策。
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、ESDの開発またはラッチアップ対策を行う｡
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、ESDの開発またはラッチアップ対策を行う｡
求める経験 / スキル
＜必須要件＞
専門性：
ESD素子プロセスデバイス開発またはラッチアップ対策、及びTEG測定評価
経験：
ESD素子のデバイス開発またはラッチアップ対策の経験者
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
専門性：
ESD素子プロセスデバイス開発またはラッチアップ対策、及びTEG測定評価
経験：
ESD素子のデバイス開発またはラッチアップ対策の経験者
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
従業員数
1,024名
勤務地
複数あり
想定年収
非公開
従業員数
1,024名
Rapidus株式会社
仕事内容
2nmプロセスにおける、アナログ素子の開発。
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、アナログデバイスの開発を行う。
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、アナログデバイスの開発を行う。
求める経験 / スキル
＜必須要件＞
専門性：
アナログデバイスのプロセス開発、及びTEG測定評価
経験：
アナログデバイス(トランジスタ(RTN,1/f)、バイポーラ(diode)、容量素子(MOS,MIM)、抵抗素子(メタル、WEL、Poly)、インダクター等の開発経験。
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス部門、設計環境部門と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
専門性：
アナログデバイスのプロセス開発、及びTEG測定評価
経験：
アナログデバイス(トランジスタ(RTN,1/f)、バイポーラ(diode)、容量素子(MOS,MIM)、抵抗素子(メタル、WEL、Poly)、インダクター等の開発経験。
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス部門、設計環境部門と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
従業員数
1,024名
勤務地
複数あり
想定年収
非公開
従業員数
1,024名
Rapidus株式会社
仕事内容
2nmプロセスにおける、メモリー素子(SRAM, eFuse)の開発
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を行う(SRAM, eFuse)。
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を行う(SRAM, eFuse)。
求める経験 / スキル
＜必須要件＞
専門性：
メモリーデバイス開発及びTEG測定評価
経験：
メモリデバイス(SRAM, eFuse)のデバイス開発の経験者
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
専門性：
メモリーデバイス開発及びTEG測定評価
経験：
メモリデバイス(SRAM, eFuse)のデバイス開発の経験者
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む
語学：
TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力
＜求める人物像＞
・人とのコミュニケーションを苦手としない人
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
従業員数
1,024名
勤務地
複数あり
想定年収
非公開
従業員数
1,024名
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