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【四日市】CMOSデバイス・インテグレーションエンジニア(高速代支給有り)

サンディスク合同会社

  • 課長以上
  • 外資系企業

想定年収

1,000万円 ~ 1,400万円

勤務地

三重県

従業員数

1,300名(2025年11月現在)

仕事内容

■仕事概要
次世代NANDフラッシュメモリ製品向けの先端CMOS技術開発を推進する意欲的なエンジニアを募集しています。

本ポジションでは、HKMG(High-K Metal Gate)CMOSデバイスおよびプロセスインテグレーション開発をリードし、デバイス性能の向上、信頼性改善、コスト最適化、ならびに将来世代のメモリ技術実現に向けた技術開発を担当していただきます。

■具体的には
・NANDフラッシュメモリ製品向けの先端HKMG CMOS技術の開発
・CMOSデバイスの性能、消費電力、信頼性の最適化推進
・ゲートスタック、ソース/ドレイン、コンタクト、シリサイド形成などのFEOL(Front-End of Line)プロセスモジュールにおけるプロセスインテグレーション戦略の立案および実行
・デバイス、プロセス、評価解析、シミュレーション、製品開発、TEG開発などの関連部門(国内/海外)との連携
・電気特性、物理解析データ、信頼性評価データを解析し、不具合の根本原因を特定するとともに、改善施策を立案・実施
・次世代に向けた技術ベンチマークおよび技術ロードマップ策定の支援
・技術レビューを主導し、知的財産(特許等)の創出に貢献

■当社で半導体エンジニアとして働く魅力
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができます。最先端の技術を活用し、時代をリードする最先端の製品開発を行うことが可能です。
・比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。

仕事内容変更範囲

会社の指示する業務

職位

募集背景

募集人数

応募条件

技能/経験

・電気工学、材料科学、物理学、または関連分野における学位取得者
・半導体のプロセスインテグレーションまたはデバイス開発に関する5年以上の実務経験
・CMOSデバイス物理およびHKMG(High-K Metal Gate)技術に関する深い知識
・トランジスタ特性の最適化、信頼性評価、および歩留まり改善の経験
・優れた分析力および問題解決能力
・高いコミュニケーション能力を有し、グローバルかつ部門横断的な組織環境において効果的に業務を遂行できること

学歴

大学

職務経験

(5年以上)

業界経験

年齢

年齢制限不問  

英語力

初級以上

その他語学力

語学力詳細

勤務条件

雇用形態

無期雇用

試用期間

有り(3ヶ月)

給与

年俸制

年収:1,000万円 ~ 1,400万円

月収:83万円~117万円

月額基本給:83万円~117万円

※社内規定および経験・能力を考慮した上で決定

賞与・インセンティブ

※別途、業績賞与制度あり

昇給

有り 年1回
不定期

勤務地

三重県

四日市工場:〒512-8550 三重県四日市市山之一色町800番地
※近鉄富田駅、富田駅、近鉄四日市駅から路線バスあり(約20~35分)
※当社社員には、名古屋居住の者も多数在籍しています。
自動車通勤可能です。(ガソリン代/高速代支給)

交通手段1 沿線名:近鉄 駅名:四日市駅 最寄駅から:タクシー25分

勤務地変更範囲

会社の定める事業所
転勤:無し

出向

出向:無し

就業時間

08:30~17:15

休憩時間:60分

残業:月0時間~30時間程度

管理監督職

残業手当

その他

管理監督職のため、労働基準法41条により、労働時間、休憩、休日の割増賃金の規定は適用されません。

通勤手当

交通費:一部支給(通勤手当:上限15万円/月 四日市:自家用車通勤可。ガソリン代・高速料金支給)

その他手当

休日・休暇

完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始

年間休日:130

年間有給休暇:有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上

1月入社の場合:24日
2月入社の場合:22日
・・・
12月入社の場合:2日 )
【休日・休暇詳細】
休暇制度(年次有給、傷病、慶弔、リフレッシュ、育児・介護、産前産後)
※年次有給休暇:初年度は入社月によって2日-24日付与(翌年1月より24日付与)
※傷病休暇:年間5日(病気や怪我の際に使用可能)

社会保険

雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金

福利厚生

・確定拠出年金(401k)
・入社に伴い転居が必要な方に対する手当(会社規定による)
- 引越手当金
四日市:独身者/単身赴任者 40万円、家族帯同 55万円
- 家賃補助(最長6年間)
- 帰省費用の補助(入社時単身赴任者に限る/月2回分の往復交通費:最長3年間)
・通勤手当:上限15万円/月
四日市:自家用車通勤可。ガソリン代・高速料金支給
・自社株購入制度
・団体生命・長期所得補償保険 他

受動喫煙対策

就業場所 原則禁煙(分煙)

備考

選考内容

選考プロセス

適性試験:無し 面接回数:2回

求人No.:NJB2411899

最終更新日:2026/9/16

企業情報

企業名

サンディスク合同会社

代表者名

-- --

設立

1992年8月

従業員数

1,300名(2025年11月現在)

資本金

310,000,000円

本社所在地

〒108-0075 東京都港区港南1丁目6番31号 品川東急ビル3F

〒247-8585 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1

〒512-8550 三重県四日市市山之一色町800番地

〒024-8510 岩手県北上市北工業団地5番29号

神奈川県藤沢市桐原町1番地

株式公開

未公開

日系・外資

外資

事業内容

NAND型フラッシュメモリーの開発・生産およびフラッシュメモリー製品の販売

事業に関する特色

SDカードやスマートフォンなどの身近な製品から、大規模データセンターやAI技術、自動運転技術などにも使われる半導体「NAND型フラッシュメモリー」を開発・生産する、世界トップクラスの半導体メーカーです。

1988年に米国で創業し、世界初となるUSBフラッシュメモリーの発売や、世界で初めて大容量microSDカード(1テラバイト)を発売するなど、常にデータストレージ分野をリードし続け、人々を幸せにする役割を担うデータを支えています。
2025年2月、当社はSandisk Corporationとして米国NASDAQへ上場し、新生サンディスクとして新たに生まれ変わりました。

常に革新的な製品を生み出してきたサンディスクの開発拠点は日本にあります。2002年以降、三重県四日市市にあるウェーハ製造工場を通じ、高性能かつ大容量のNAND型フラッシュメモリーを開発・生産し、現在まで数多くの世界初となる技術が生まれています。2019年には岩手県北上市にウェーハ製造の第二拠点となる北上工場第1製造棟が竣工し、2022年には四日市工場第7製造棟が竣工。さらに2024年には、北上工場第2製造棟が完成し、今後も長期的に成長が見込まれるフラッシュメモリーの生産供給に備えて、ここ日本から世界中のお客様へ製品を提供していきます。

会社の特色

■同社の魅力
◇国籍や性別、年齢など、様々なバックグラウンドを持つ世界クラスの優秀なエンジニアが活躍の場を求めて同社にやってきています。ビッグデータ、高速データ、個人データが世界で急速にイノベーションを起こしている現代において、フラッシュメモリの需要はますます拡大しています。

◇キオクシア社との協業で投資やマンパワーなど、リソースを有効活用し、技術成長=企業成長である半導体業界内でも高いシェアを誇る企業です。闊達な技術開発を促進する社風や、成長を促進する魅力あふれる企業として、今後の成長を目指しています。

◇日本法人では従業員の約90%が半導体エンジニアで構成されています。

その他の特色

【米国本社】
Sandisk Corporation

Website:
https://sandisk-jp.com/recruit/ (Japan採用)
https://sandisk-jp.com/recruit/other/video/ (会社紹介ムービー)
https://www.sandisk.com/ja-jp (オンラインストア)
https://www.sandisk.com/ (Global)

売上実績

決算期
売上高
経常利益
-
1,128,600百万円(73億5,500万USドル(2025年6月期)※2025年11月換算為替レートにて円換算)
-

求人No.:NJB2411899

最終更新日:2026/9/16

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