【横浜】①半導体プロセスエンジニア ②半導体プロセスインフォマティクス研究者 ③化合物半導体マイクロ波デバイス技術者 ④光電融合デバイスのパッケージ設計・開発エンジニア
想定年収
520万円 ~ 1,200万円
勤務地
神奈川県
仕事内容
①半導体プロセスエンジニア
・半導体光デバイス（レーザ、フォトダイオード）のプロセス開発
・光デバイスのプロセスインテグレーション
・プロセス設備導入、及び管理
②化合物半導体マイクロ波デバイス技術者
・化合物半導体マイクロ波デバイス開発技術者、プロセス技術者
③光電融合デバイスのパッケージ設計・開発エンジニア
・光集積回路、LSIの後工程設計・プロセス開発（2D/3D半導体実装）
・光電融合パッケージ設計（光結合、高周波、実装、放熱、応力）
■具体的にお任せする業務
1) 半導体後工程プロセス設計と評価
2) 光電融合デバイス・光学部品の開発・評価
3) 光学解析、高周波解析、熱応力解析、機構設計
募集人数
8人
応募条件
技能/経験
<必須要件＞
①半導体プロセスエンジニア
・半導体プロセスの開発経験（インテグレーション、リソグラフィ、ドライエッチング、洗浄、CVD等）
・半導体デバイスの基礎知識
・業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上）
②半導体プロセスインフォマティクス研究者
・機械学習、シミュレーション、プログラムのいずれかを用いた開発経験
・半導体に関する知識・経験
・海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上）
③化合物半導体マイクロ波デバイス技術者
・高専卒・大卒以上
・化合物半導体マイクロ波デバイス開発経験者
または、化合物半導体プロセス開発経験者
またはマイクロ波・ミリ波デバイス評価経験者
電子デバイスについて、大学レベルの基本知識を有していること
・電子デバイスまたは製造プロセスに興味を有していること
・業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 600点以上）
④光電融合デバイスのパッケージ設計・開発エンジニア
・高専卒・大卒以上
・半導体後工程および半導体パッケージの開発経験
・海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上）
<歓迎要件>
①半導体プロセスエンジニア
・化合物半導体デバイスプロセスの知識
・化合物半導体結晶成長技術
・学会/国際学会での発表経験
②半導体プロセスインフォマティクス研究者
・半導体プロセス/結晶成長プロセスの開発経験
・第一原理計算などの計算科学の経験
・データマネージメントの経験
・国際学会での発表経験
④光電融合デバイスのパッケージ設計・開発エンジニア
・半導体後工程プロセス開発経験
・シリコンフォトニクスの開発経験
・光デバイス・光学部品の開発・評価経験
・光学解析（電磁界、光線追跡）
・ミリ波帯（～120GHz）高周波解析
・熱応力解析、機構設計（3D-CAD）
・国際学会発表や海外企業との協議の経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
不問
年齢
年齢制限不問
英語力
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：520万円 ~ 1,200万円
月収：29万円～
月額基本給：29万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：3.5～4.5ヶ月
学士：月収： 29.0 万円 ～ / 月額基本給： 29.0 万円 ～
修士：月収： 30.7 万円 ～ / 月額基本給： 30.7 万円 ～
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：12:00～13:00
残業：月10時間～20時間程度
（標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)
残業手当
通常の残業代
■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
通勤手当
交通費：全額支給
休日・休暇
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上 )
【休日・休暇詳細】
休日：
年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど)
休暇：
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇 （慶弔休暇 など）
計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）
半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
※初年度は入社月により異なります。
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2218215
最終更新日：2026/3/13