次世代半導体(r‑GeO₂)の研究開発 ~立命館大学発のスタートアップ企業~
想定年収
500万円 ~ 800万円
勤務地
滋賀県
従業員数
13名
仕事内容
【業務概要】
研究開発部門にて下記のような業務をご経験に応じてお任せします。
【業務内容】
・ワイドバンドギャップを有するGeO2半導体の開発(問題点の特定・条件の改善提案等)
・エピ膜を用いたパワーデバイスの試作評価およびデバイスの改善
・測定データの解析、特性評価、不具合解析
・結晶成長および結晶欠陥の評価 など
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
スペシャリスト
募集背景
研究開発を加速させていくための組織強化のため。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
【必須条件】 ※下記いずれかのご経験をお持ちの方
・化学、物理、応用物理、電気・電子を専攻または同等の知見
・半導体の知見
【歓迎条件】
・パワーデバイスや酸化物半導体の開発・設計・試作経験
・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化の経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
年俸制
年収:500万円 ~ 800万円
月収:42万円~50万円
月額基本給:42万円~50万円
賞与・インセンティブ
ストックオプション制度有
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
滋賀県
滋賀県草津市野路東1-1-1
立命館大学BKCインキュベータ
交通手段1 沿線名:JR琵琶湖線 駅名:南草津 最寄駅から:バス20分
勤務地変更範囲
出向
就業時間
09:00~18:00
休憩時間:60分
残業:月10時間~20時間程度
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費:全額支給(1ヶ月につき5万円上限)
その他手当
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日:130
年間有給休暇:有給休暇は入社後7ヶ月目から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上 )
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
引っ越し費用および敷金礼金サポート(上限40万円)
受動喫煙対策
就業場所 全面禁煙
備考
上記年収はモデルであり、スキル・経験を考慮の上決定いたします。
選考内容
選考プロセス
面接回数:2回
求人No.:NJB2370911
最終更新日:2026/5/29
企業情報
企業名
Patentix株式会社
代表者名
代表取締役 衣斐 豊祐
設立
2022年12月
従業員数
13名
資本金
189,900,000円
本社所在地
〒525-8577 滋賀県草津市野路東1-1-1立命館大学BKCインキュベータ
株式公開
未公開
日系・外資
日系
事業内容
・次世代パワー半導体材料 ルチル型二酸化ゲルマニウム(r‑GeO₂) の研究・開発
・r‑GeO₂を用いた 半導体基板(エピウエハ)の製造および販売 など
事業に関する特色
Patentix株式会社は、立命館大学発のディープテック・スタートアップとして、
**次世代パワー半導体材料「ルチル型二酸化ゲルマニウム(r‑GeO₂)」**の研究開発から製造・社会実装までを一貫して手がけています。
同社が挑戦しているのは、電力変換時に発生するエネルギーロスを大幅に削減し、脱炭素社会(GX)の実現を根本技術から支えること。
EV、再生可能エネルギー、データセンター、産業機器など、今後の社会インフラを支える分野において、世界的なブレークスルーが期待される技術領域に正面から取り組んでいます。
【世界初に挑む技術力】
Patentixの中核技術である r‑GeO₂(ルチル型二酸化ゲルマニウム) は、従来材料(Si、SiC、Ga₂O₃)を超える超ワイドバンドギャップ半導体として注目されています。
・高耐圧・低損失による次世代パワーデバイスへの適性
・p型・n型の両伝導が理論的に可能(設計自由度の高さ)
・独自の薄膜成長技術 「Phantom SVD法」 による量産可能性
2024年には、r‑GeO₂単結晶薄膜を用いたショットキーバリアダイオード(SBD)の動作実証に世界で初めて成功し、研究段階から実用化フェーズへと大きく前進しています。
【オープンイノベーションで社会実装へ】
同社は単独での研究開発に留まらず、「びわこ半導体構想」コンソーシアムを主導し、自治体、大学、金融機関、素材・装置・デバイスメーカーと連携するオープンイノベーション戦略を推進しています。
技術を「研究成果」で終わらせず、社会に実装される製品へと昇華させるスピード感を最重視している点が、Patentixの大きな特徴です。
革新的な技術「r-GeO₂」とは:
パテンティクスの核となる技術は、「ルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)」という超ワイドバンドギャップ半導体材料です。
r-GeO₂パワー半導体は、その優れた特性により幅広い分野での応用が期待されています。
鉄道業界:電車の電力変換システムの効率化
自動車業界:電気自動車(EV)のパワーユニット効率向上
産業機器:工場の電力システムの省エネ化
宇宙・航空:放射線耐性を活かした人工衛星への搭載
再生可能エネルギー:太陽光発電システムの変換効率向上
会社の特色
立命館大学金子教授の研究成果であるGeO2半導体は、超広帯域バンドギャップ(UWBG)半導体であり、低損失化(シリコンよりも40%省エネ効果があるSiCよりも、さらに3分の1以下に減少できる省エネ材料)、高耐圧化、小型化を可能とする将来有望な半導体です。
その他の特色
シリーズAラウンドにおいて、以下の企業・機関より、総額約 7億1,900万円 の資金調達を実施。2022年12月創業以来の調達額は、計10億5,900万円となりました。(三菱電機・アイシン、デンソーなど)
売上実績
求人No.:NJB2370911
最終更新日:2026/5/29
