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求人情報詳細

化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(GaNパワー)

求人番号
NJB2116636
採用企業名
大手半導体メーカー
職種

技術系(機械設計・製造技術) - 商品企画・商品開発(技術系)
技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)

雇用形態
無期雇用
勤務地
兵庫県 神奈川県
仕事内容

【業務内容】
化合物 パワーデバイス(主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発

【参考リンク】
・スペシャルインタビュー~あなたのキャリアが世界を変える~
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html

・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ


■休日:完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始

求める経験
年齢制限の理由

【必須】
・デバイス設計/プロセス技術/生産技術/歩留改善/パッケージ技術/材料開発/品質保証/評価・解析/製品テスト(いずれかの経験)

【尚可】
①デバイス開発(川崎)
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。特に化合物半導体に関する知識をお持ちの方は歓迎します
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
②プロセス開発(姫路/川崎)
・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事した経験をお持ちの方
・半導体ウェハー、エピプロセス、装置開発に従事した経験をお持ちの方

※()内は想定勤務地
※上記の必須・尚可条件は担当~課長クラス共通の要件となります。


■職種未経験者:不可

年収
450万円 - 1000万円
語学力
英語力:初級以上
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙(分煙)
受動喫煙対策詳細

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