【筑波】化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)
- 採用企業名
- 三菱ケミカル株式会社
- 職種
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技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)
技術系(機械設計・製造技術) - 化学(研究・開発・分析)
技術系(機械設計・製造技術) - 評価・試験・分析・解析(CAE)
技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(化学)
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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茨城県
- 仕事内容
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【職務内容】
化合物半導体の製造及び技術検討を担当いただきます。
具体的には以下業務を担当いただきます。
・GaN結晶成長工程の生産性向上や新規技術の開発
・GaN結晶成長工程の生産計画作成や進捗管理等の生産管理
・GaN結晶設備の保全管理
【配属部署の紹介】
高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。製造工程で日々の工技術改善に一体で取り組み、更なる量産化へ向けた進化を続けています。■休日:土, 日, 祝日, 年末年始
- 求める経験
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【必須要件】
・経験職種(年数)・経験内容:
- 化合物半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者
- 化合物半導体材料(GaN>>Si/サファイア/SiC他 脆性材料)の結晶成長技術検討または製造管理経験者
・経験補足:
- 半導体材料の結晶成長技術の専門知識を有する
- 製造スタッフとして運転員の管理・指導ができる
【歓迎要件】
・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・経験職種(年数)・経験内容:化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション
・語学力:英語■職種未経験者:不可
- 年収
- 564万円 - 941万円