【職務概要】
当社独自のGaN（窒化ガリウム）単結晶基板製造技術「SCAAT-LP（低圧酸性アモノサーマル法）」のリーダーとして、の液相法による結晶成長技術開発をリードしていただきます。
SCAATは、高温高圧の超臨界アンモニア中で結晶を成長させる液相成長法で、低欠陥・高品質なGaN基板を実現できる技術です。共同開発先の設備メーカーや国内外の会社、大学、研究機関とも連携しながら、量産化に向けた技術課題の解決を推進いただきます。

具体的には、以下業務項目を担当いただきます。

＜担当業務項目＞
・液相成長（SCAAT）による化合物半導体単結晶基板の技術開発、および開発テーマの推進
（ご経験に応じてご依頼する業務）
　・チームメンバーの業務管理と育成
　・共同開発先との技術協議・調整

＜ミッションテーマ例＞
・欠陥密度の低減、不純物の低減　
・成長速度の制御、生産性・歩留まりの改善　
・大口径化（6～8インチ）に向けた技術開発
・安定製造技術の確立と製造部門への技術移管

【配属部署の紹介】
配属部署では、HVPE法（気相成長）とSCAAT（液相成長）の両方式でGaN基板の研究開発を行う組織です。SCAATの開発は、関東事業所（筑波）（研究開発）、共同開発先の大型設備による拠点（実証）等で役割分担して進めており、本ポジションは関東事業所（筑波）の研究開発をとりまとめていただく予定です。キャリア入社者も多く、それぞれの専門性を活かして活躍しています。

【魅力・やりがい】
・「GaN」基板の安定供給体制を構築するとともに、近年需要が増加するパワーデバイス用途に適用可能な６～８インチ基板の開発にも取り組んでいます。レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への貢献に携わることができます。
・SCAATは国内では当社のみが手掛ける技術です。高耐圧の縦型パワーデバイスをはじめ、当社の基板でなければ実現が難しい用途があることを、お客様からも評価いただいています。品質面の優位性を活かし、コスト・生産性の課題を突破できれば大きな市場が開ける段階にあり、その突破を担っていただきます。世界でも限られた企業しか持たないオンリーワン技術を、自らの手で事業として確立していく、ライフワークになり得るテーマです。

【身につくスキル・キャリアイメージ】
入社後は、既存メンバーのサポートを受けながらSCAAT技術を習得し、開発を担っていただきます。結晶工学分野における社内外の最新の技術動向に触れ、自社・自身の技術と融合することで、難易度が高い課題を解決するスキルを、全社の重点領域で発揮頂くことを期待しています。将来的には、SCAAT開発全体を牽引する立場を担っていただくことを期待しています。

【仕事の特徴】
・検討機会を最大限に活かすため、事前の仮説構築と条件設計が成否を分けます。
・腰を据えてデータと向き合い、じっくり考えることができる環境です。

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務