SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert
想定年収
1,000万円 ~ 2,000万円
勤務地
大阪府
仕事内容
・SiC/IGBTパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。
・部分工程であるプロセスモジュールインテグレーションの構築を進めていただきます。
・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発にプロセスインテグレーターとして貢献していただきます。
・最新のパワー半導体製造プロセスを調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。
・プロセス設備導入に際して、設備選定等に助言をいただきます。
・革新的で競争力のあるプロセスプラットフォームを構築していただきます。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験を持ち、SiC/IGBTプロセスインテグレーション開発業務に精通している。
・プロセスシミュレータに精通し、高性能SiC/IGBTパワー半導体プロセス開発を推進できる。
・半導体新工場の建設、設備選定、導入などのプロセスに精通している。
・半導体プロセス技術開発、プロセス設備開発、プロセス設備選定、開発ラインまたは生産ライン立ち上げ経験などの経験を持つ。
・生産現場における技術的ボトルネック改善や良品率向上などの課題解決の経験を持つ。
・最新のSiC/IGBTパワー半導体プロセス技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。
・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神を持っていること。
・海外出張に対応可能であること。基本的な英語のコミュニケーション能力とリーディング、ライティングスキルを有すること。
学歴
大学
職務経験
要 (5年以上)
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
中級以上
その他語学力
語学力詳細
英語と日本語でコミュニケーションが取れる方だと尚良い／日中通訳がおります。
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：1,000万円 ~ 2,000万円
月収：80万円～135万円
月額基本給：72万円～122万円
※上記はあくまでも年収例のため、詳細はオファー時よりご確認ください。
賞与・インセンティブ
年2回
ベース+KPIボーナス
昇給
有り 年1回
年1回(個人実績に応じる)
勤務地
大阪府
就業時間
09:00～18:00
休憩時間：12：00～13：00
残業：月10時間～40時間程度
固定（定額）残業代制
・フレックスタイム制有
・コアタイム10:00~15:00
残業手当
定額の残業代＋通常の残業代
固定残業時間 45時間 / 月
固定残業代 85,000円 ～ 135,000円 / 月
固定残業45H/月含む。超過分は別途支給。
※上記はあくまでも残業手当の一例のため、詳細はオファー時よりご確認ください。
通勤手当
交通費：全額支給
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：125
年間有給休暇：有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます
( 初年度 14日 4か月目から )
【休日・休暇詳細】
※有給休暇につき、 試用期間終了後付与
（土・日・祝祭日・年末年始）
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2224782
最終更新日：2024/4/30