Power Device Design Senior Engineer
想定年収
1,000万円 ~ 2,000万円
勤務地
大阪府
仕事内容
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
学歴
大学
職務経験
要 (5年以上)
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
中級以上
その他語学力
語学力詳細
英語と日本語でコミュニケーションが取れる方だと尚良い／日中通訳がおります。
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：1,000万円 ~ 2,000万円
月収：80万円～135万円
月額基本給：72万円～122万円
※上記はあくまでも年収例のため、詳細はオファー時よりご確認ください。
賞与・インセンティブ
年2回
ベース+KPIボーナス
昇給
有り 年1回
年1回(個人実績に応じる)
勤務地
大阪府
就業時間
09:00～18:00
休憩時間：12：00～13：00
残業：月10時間～40時間程度
固定（定額）残業代制
・フレックスタイム制有
・コアタイム10:00~15:00
残業手当
定額の残業代＋通常の残業代
固定残業時間 45時間 / 月
固定残業代 85,000円 ～ 135,000円 / 月
固定残業45H/月含む。超過分は別途支給。
※上記はあくまでも残業手当の一例のため、詳細はオファー時よりご確認ください。
通勤手当
交通費：全額支給
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：125
年間有給休暇：有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます
( 初年度 14日 4か月目から )
【休日・休暇詳細】
※有給休暇につき、 試用期間終了後付与
（土・日・祝祭日・年末年始）
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2224778
最終更新日：2024/4/30