【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
神奈川県
仕事内容
【職務内容】
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
【具体的にお任せする業務】
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
〇生産技術開発及び生産への展開
【仕事の特徴・面白さ】
化合物半導体技術を用いた通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンになることへの挑戦及び研究、技術、製品開発、製造、顧客サポートを通じ次世代ソリューションを提供し続ける部署です。
各々の持つ技術が持続発展的社会を実現することに、強いやりがいを感じることができます。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
【応募資格】（専門知識/能力）
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
・化合物半導体トランジスタの開発経験者でエピタキシャルウェハへの間接的な知見保有者
【以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。】
〇高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
〇GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
〇エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方
学歴
高専
職務経験
要 (3年以上)
業界経験
ー
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
TOEIC500以上（必須ではありません）
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～
月額基本給：28万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：4.9ヶ月
6月、12月支給
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～40時間程度
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：123
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 初年度最高20日※初年度は入社月により異なります。
積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2358334
最終更新日：2026/6/22