【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
化合物半導体デバイスメーカー
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
神奈川県
仕事内容
【職務内容】
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
【具体的にお任せする業務】
・GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
・MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
・新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
・量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
・結晶品質の評価・解析
【仕事の特徴・面白さ】
・エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属。技術開発と量産展開の両面に携われます。
・プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能にどう影響するかが直接見える環境です。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
【応募資格】（専門知識/能力）
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・化合物半導体（GaN、GaAs等）のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
・MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
・半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方（再教育可能）
【以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。】
・GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験
・高周波デバイスに関する知識
・量産展開・歩留まり改善のご経験
・結晶品質の評価・解析技術のご経験
学歴
高専
職務経験
要 (3年以上)
業界経験
ー
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
TOEIC500以上（必須ではありません）
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～
月額基本給：28万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：4.9ヶ月
6月、12月支給
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～40時間程度
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：122
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 初年度最高20日※初年度は入社月により異なります。
積立休暇（最高50日まで有給休暇を積立可能） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2358334
最終更新日：2026/7/1