【山梨または横浜】光ファイバ通信用半導体レーザ開発業務
想定年収
520万円 ~ 900万円
勤務地
神奈川県 山梨県
仕事内容
①職務内容
半導体レーザ（主にDFBレーザ）および半導体光アンプの構造設計、
評価、結晶成長、プロセス技術開発
②具体的にお任せする業務
顧客要求に基づいた半導体レーザの構造設計、プロセス技術開発の他、開発業務に付随する他部門との試作や評価の調整、将来に向けた要素技術開発
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
ー
募集背景
事業拡大のための増員
募集人数
5人
応募条件
技能/経験
①応募資格（資格/専門知識/能力） ※必須要件
・半導体レーザ設計従事経験
・半導体レーザの結晶成長、プロセス技術開発従事経験
・光変調器、光パッシブデバイス開発従事経験
②語学力（英語/その他言語等）
・TOEIC550点以上
・中国語が堪能な方
③以下の経験を・技術をお持ちの方を歓迎します
・化合物半導体デバイスの設計およびプロセス技術開発の経験
・高周波回路設計の経験
・半導体デバイスの信頼性評価の経験
・データ分析による半導体デバイス不良解析の経験
・半導体デバイス評価装置開発の経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
不問
年齢
年齢制限不問
英語力
中級以上
TOEIC：550点以上
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：520万円 ~ 900万円
月収：29万円～
月額基本給：29万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：6月・12月
学士：月収： 29.0 万円 ～ / 月額基本給： 29.0 万円 ～
修士：月収： 30.7 万円 ～ / 月額基本給： 30.7 万円 ～
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県 山梨県
出向
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：12:00～13:00
残業：月10時間～20時間程度
（標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)
残業手当
通常の残業代
■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
通勤手当
交通費：全額支給
その他手当
通勤手当、残業手当、家族手当、家賃補助手当（条件により家賃の最大50％を支給（上限額あり））
休日・休暇
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上 )
【休日・休暇詳細】
休日：
年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど)
休暇：
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇 （慶弔休暇 など）
計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）
半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
※初年度は入社月により異なります。
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
財形住宅貯蓄、退職年金、企業年金基金、共済会、持株会
カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）
育児休業（満３歳到達まで）、
短時間勤務（小学６年生を終了するまで）
介護休業（2年以内） など
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙（分煙）
備考
上記年収等の諸条件はモデルであり、実際の給与は年齢・経験・スキルを考慮の上、選考により決定します。
選考内容
選考プロセス
適性試験：有り 、 面接回数：3回
求人No.：NJB2371658
最終更新日：2026/4/3