半導体ウエハプロセスに関する製造技術業務（光通信用デバイス）【山梨または横浜】
想定年収
570万円 ~ 1,200万円
勤務地
神奈川県 山梨県
仕事内容
＜業務内容＞
化合物半導体ウェハプロセスに関する製造技術担当。
・ウェハプロセス工程の能力改善に向けた新規導入装置の立上げ、量産工程適用に向けたプロセス条件の最適化
・ウェハプロセス工程における工程改善、歩留改善、製造不具合発生時等の製造/生産技術業務対応、フォトリソグラフィ工程、ドライ/ウェットエッチング工程、薄膜形成等
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
■必須要件
・大卒以上
・半導体デバイスのウェハプロセス工程の業務に従事経験がある方
■歓迎要件
・化合物半導体デバイスのウェハプロセス工程に関する知識
・ステッパ、レジスト塗布/現像等、フォトリソグラフィ工程、
エッチング工程、電極形成等、設備、工程担当業務の経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
不問
年齢
年齢制限不問
英語力
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：570万円 ~ 1,200万円
月収：31万円～
月額基本給：31万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：6月・12月
学士：月収：30.6 万円 ～ / 月額基本給： 30.6 万円 ～
修士：月収： 32.62 万円 ～ / 月額基本給： 32.62 万円 ～
博士：月収： 35.77 万円 ～ / 月額基本給： 35.77 万円 ～
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県 山梨県
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：12:00～13:00
残業：月10時間～20時間程度
（標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)
残業手当
通常の残業代
■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
通勤手当
交通費：全額支給
休日・休暇
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上 )
【休日・休暇詳細】
休日：
年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど)
休暇：
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇 （慶弔休暇 など）
計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）
半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
※初年度は入社月により異なります。
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2356995
最終更新日：2026/4/24