仕事内容

仕事内容変更範囲

会社の指示する業務

職位

セールスマネージャー

募集人数

1人

選考内容

選考プロセス

適性試験：無し 、 面接回数：3回

代表者名

職務執行者　何明洲

設立

2022年4月

従業員数

10名（2023年10月現在）

資本金

50,000,000円

本社所在地

〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜3-6-12日総第12ビル　6F

株式公開

未公開

日系・外資

外資

企業URL

事業内容

■eMemoryは、ロジック不揮発性メモリIP（Logic-based Non-Volatile Memory IP）の設計開発およびIPをライセンスー提供するIPプロバイダーです。

■本社(台湾)は2000年に設立、2011年にIPO上場。900以上の特許を保有しており、15年連続で台湾の大手TSMCのPartner of the Year Award受賞を受賞して高い信頼を得ています。その他ワールドワイドのファウドリープロセスプラットフォームにおいても積極的にIP開発を行い、幅広いポートフォリオを展開している大手不揮発性IPプロバイダーです。

■eMemoryの取り扱うメモリは汎用メモリ（SRAM、DRAM、NANDフラッシュ）とは異なり、お客様のロジックICに埋め込まれる（組み込む）、そして特定の用途・機能に特化したメモリ IPになります。
①ワンタイムプログラマブルメモリ NeoBit、NeoFuse
②マルチタイムプログラマブルメモリ NeoEE、NeoMTP
③物理的複製防止機能メモリ NeoPUF
④フラッシュメモリ NeoFlash
これらメモリ技術の知的財産（IP）を半導体ファウンドリ、IDM、そしてファブレスICデザインハウスにライセンス提供しており、コンシューマー、産業、自動車アプリケーションにて680億個以上のIC組込み実績があります。

事業に関する特色

■eMemoryは半導体IC設計・製造会社からメモリIPの利用を許可する段階で契約料としてライセンスを徴収。さらに、半導体が工場で生産・出荷されるたびに、ロイヤリティを徴収。安定した収益構造・利益率で、投資家からも高い期待を寄せられています。
■2024年の同社の株価は2,900TWD。TSMCの株価が600TWDのため、その4倍以上となる高い株価となっています。
■2022年上期は32.1億TWDの売上。利益率は50％以上を誇ります。

■eMemoryが提供するロジック不揮発性メモリ IPとは？
・システムを瞬時に立ち上げるためのブートコート、ファームウェア、
・トリミングデーター、補正データー
・製造時におけるIC特性のばらつきを補正するためのパラメータ格納
・セキュリティ情報格納、チップID
等といった要求に対して強みを持ちます。
具体的な使用例を挙げるとディスプレイドライバIC、カメラモジュール、DRAM、MCU、通信IC、RFID & NFC、PMIC（電源管理IC）、センサーICなどです。

会社の特色

■eMemoryはファウンドリ・パートナー、IDM、ファブレス・デザインハウスのお客様の組込みメモリに関するニーズに重点的に取り組んでいます。
このような取り組みにより、同社は比類ない設計、加工、エンジニアリングのノウハウを創業以来２５年も蓄積してきました。また、ロジックNVMのシリコンIP技術、製品、サービス、ソリューションにおいて、業界で最も包括的なプラットフォームの開発にも役立っています。

■eMemoryのロジックNVMシリコンIPプラットフォームは、ファブレス・デザインハウスに優れたベンダーの柔軟性とプロセスのポータビリティを提供します。
同社は、IDMにプロセスのスケーラビリティと貴重なプロセスエンジニアリングのノウハウを提供します。同社のファウンドリパートナーは、同社を通じて
何百もの潜在的な顧客にアクセスすることができます。

その他の特色

製品の特長

■ワンタイムプログラマブル（OTP: One Time Programmable）メモリ
①CMOSフローティング・ゲート型OTPメモリ：NeoBit
追加マスク不要、幅広いプロセスノードをサポート（0.5um ~ 55nm）、車載用集積回路信頼性規格「AEC-Q100」の最高温度水準「Grade 0（-40 ~ +150℃）」準拠、自動車用機能安全規格「ISO26262」の最高グレード「ASIL D」認証

②アンチ・ヒューズ型OTPメモリ：NeoFuse
最先端の5nm FinFETテクノロジーノードに提供可、幅広いプロセスノードをサポート（0.15um ~ 5nm）、メモリ容量：64 ~ 4M bit、走査型電子顕微鏡では見えないヒューズ状態、ppmレベルの低故障率

■マルチタイムプログラマブル（MTP: Multi Time Programmable）メモリでは、
①低容量・高書き込み耐性のCMOSフローティング・ゲート型MTPメモリ：NeoEE
メモリ容量：16K bitまで展開、50万回の書き込み耐性がある、追加マスク不要、幅広いプロセスノードをサポート（0.3um ~ 65nm）、車載用集積回路信頼性規格「AEC-Q100」の最高温度水準「Grade 0（-40 ~ +150℃）」準拠、自動車用機能安全規格「ISO26262」の最高グレード「ASIL D」認証

②高容量・低書き込み耐性のCMOSフローティング・ゲート型MTPメモリ：NeoMTP
追加マスク不要、メモリ容量：16K ~ 512K bit、書き込み耐性：1,000回、高速なデータ読み出し速度（20 ~ 40ns）、サポートプロセスノード：0.5um ~ 55nm、温度動作範囲：-40 ~ +175℃、車載用集積回路信頼性規格「AEC-Q100」の最高温度水準「Grade 0（-40 ~ +150℃）」準拠

■物理的複製防止機能メモリ：NeoPUF
ハミング重みが50％の高いランダム性、米国商務省標準技術局「NIST」の800-22全テストスイートに合格、-40〜175°Cの温度条件下での高い安定性、最低10年の稼働寿命で経年劣化の問題なし、追加マスク不要

会社環境
■オフィスは駅前にあり、清潔で働きやすい環境が整っています。