化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（GaNパワー）
想定年収
450万円 ~ 1,200万円
勤務地
兵庫県 神奈川県
仕事内容
【業務内容】
化合物 パワーデバイス（主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
担当～課長クラス
募集背景
東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。
これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。
カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
【必須】
・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験）
【尚可】
①デバイス開発（川崎）
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。特に化合物半導体に関する知識をお持ちの方は歓迎します
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
②プロセス開発（姫路／川崎）
・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事した経験をお持ちの方
・半導体ウェハー、エピプロセス、装置開発に従事した経験をお持ちの方
※（）内は想定勤務地
※上記の必須・尚可条件は担当～課長クラス共通の要件となります。
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
不問
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(2ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 1,200万円
月収：25万円～70万円
月額基本給：25万円～70万円
賞与・インセンティブ
年2回
賞与：2回(7月、12月)
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
兵庫県 神奈川県
出向
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月10時間～30時間程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
その他手当
住宅手当
その他：次世代育成手当、深夜手当など（当社規定による）
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：127
年間有給休暇：入社7ヶ月目には最低10日以上
※初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。
【休日・休暇詳細】
慶弔休暇、災害休暇など
※年次有給：初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり。
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
カフェテリアプラン制度(選択型福祉制度＝会社が年度初めに従業員へポイントを付与し、そのポイントを使ってあらかじめ用意された様々な福利厚生のメニューの中から必要なサービスを利用できる制度です)／寮・社宅制度 など
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙（分煙）
備考
※上記年収は目安となります。今までのご経験・スキルおよび選考を通じて決定致します。
選考内容
選考プロセス
適性試験：有り 、 面接回数：2回
求人No.：NJB2116636
最終更新日：2025/12/16