【横浜】高周波用途の化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術の開発及び量産展開
想定年収
520万円 ~ 900万円
勤務地
神奈川県
仕事内容
①職務内容
高周波用途の化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術の開発及び量産展開
②具体的にお任せする業務
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
〇生産技術開発及び生産への展開
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
ー
募集背景
ー
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
<必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有
<歓迎要件>
〇高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識
〇GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験
〇エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験
学歴
大学
職務経験
要
業界経験
要
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
TOEIC：500点以上
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：520万円 ~ 900万円
月収：29万円～
月額基本給：29万円～
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：6月・12月
学士：月収： 29.0 万円 ～ / 月額基本給： 29.0 万円 ～
修士：月収： 30.7 万円 ～ / 月額基本給： 30.7 万円 ～
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
神奈川県
出向
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：12:00～13:00
残業：月10時間～20時間程度
（標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)
残業手当
通常の残業代
■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
通勤手当
交通費：全額支給
その他手当
通勤手当、残業手当、家族手当、家賃補助手当（条件により家賃の最大50％を支給（上限額あり））
休日・休暇
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上 )
【休日・休暇詳細】
休日：
年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど)
休暇：
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇 （慶弔休暇 など）
計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）
半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
※初年度は入社月により異なります。
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
財形住宅貯蓄、退職年金、企業年金基金、共済会、持株会
カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）
育児休業（満３歳到達まで）、
短時間勤務（小学６年生を終了するまで）
介護休業（2年以内） など
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙（分煙）
備考
上記年収等の諸条件はモデルであり、実際の給与は年齢・経験・スキルを考慮の上、選考により決定します。
選考内容
選考プロセス
適性試験：有り 、 面接回数：3回
求人No.：NJB2369307
最終更新日：2026/3/27