化合物半導体電子デバイスウェハプロセス開発
想定年収
450万円 ~ 800万円
勤務地
山梨県
仕事内容
①GaN HEMTのウエハプロセス開発
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発
＊保有スキルにより業務振り分けは可能。
自分たちの製造した半導体レーザが、世界中のデータセンターに導入されてAI化社会を実現していくという社会的な意義の達成感があります。
微細且つ複雑な半導体レーザ素子の物理を解き明かして、これを製品製造に応用していく面白さも魅力です。
キャリアパスの機会は新卒採用者に準じて提供します。
・社内育成プログラムに沿った各種教育を定期的に実施
・グループ内で実施の各種教育プログラム受講や部門内教育プログラムの受講機会を随時提供
・社外講習会、展示会、学会聴講などの機会を随時提供
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
ー
募集背景
5G製品の更なる展開を推進するため。今後はBeyond 5Gに向けた開発により、更なる情報化社会の推進を担っていける点が魅力。
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
＜必須要件＞
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
学歴
高専
職務経験
要 (3年以上)
業界経験
ー
年齢
年齢制限不問
英語力
初級以上
TOEIC：500点以上
その他語学力
語学力詳細
TOEICの点数は目安です。
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3ヶ月)
給与
月給制
年収：450万円 ~ 800万円
月収：28万円～40万円
月額基本給：28万円～40万円
賞与・インセンティブ
年2回 昨年実績：4.9ヶ月
6月、12月支給
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
山梨県
出向
就業時間
08:30～17:15
休憩時間：60分
残業：月20時間～40時間程度
フレックスタイム制
コアタイム 11:00 ～ 14:00
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給(会社規定に基づき支給)
その他手当
家族手当、食事手当、在宅勤務手当
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：121
年間有給休暇：有給休暇は入社時から付与されます
( 入社7ヶ月目には最低10日以上
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日） )
【休日・休暇詳細】
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
・企業年金制度
・持株会
・財形貯蓄制度(一般、年金)
・育児休業制度（生後満2歳に到達するまで）
・介護休業（2年以内）
・時短勤務制度
・在宅勤務制度
・独身寮（原則、自宅から90分以上通勤に要する場合）
・カフェテリアプラン制度（多様な福利厚生メニューの中から各自が自由に選択したサービスに対して、年間、最大36,000ポイント分を費用補助として利用できる制度）
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙（分煙）
就業場所 屋内禁煙
備考
※選考途中で住友電気工業（親会社）の採用→住友電工デバイスイノベーション出向となる可能性もございます。 ※上記年収等の諸条件はモデルであり、年齢・経験・スキルを考慮の上、選考により決定します。
選考内容
選考プロセス
適性試験：有り 、 面接回数：2回
求人No.：NJB2303924
最終更新日：2025/8/18