MOCVD装置を用いたオプトデバイス（LED・PD）の結晶成長エンジニア
資源循環ビジネスに強みを持つ非鉄金属メーカー
想定年収
500万円 ~ 1,000万円
勤務地
秋田県
仕事内容
MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs・InP系に限らず、GaN系材料も含む）の結晶成長に関する業務をご担当いただきます。
【具体的には】
・主にGaAs系、InP系赤・赤外LED・PDの結晶成長
・デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化、MOCVD装置設計の最適化
・MOCVDにより成長した結晶の評価
募集人数
1人
応募条件
技能/経験
【必須経験】下記いずれかのご経験をお持ちの方
・オプトデバイス向けGaAs・InP・GaN系材料およびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
・MOCVD装置の装置開発・設計の技術経験
【歓迎用件】
・TOEIC700点以上をお持ちの方
学歴
高専
職務経験
業界経験
ー
年齢
年齢制限不問
英語力
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(6か月)
給与
月給制
年収：500万円 ~ 1,000万円
月収：25万円～35万円
月額基本給：25万円～35万円
賞与・インセンティブ
年2回
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
秋田県
就業時間
08:00～16:00
休憩時間：60分
残業：月20時間～30時間程度
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：一部支給(実費相当を支給)
休日・休暇
週休二日制, 土, 日, 祝日
年間休日：123
年間有給休暇：入社7ヶ月目には最低10日以上
【休日・休暇詳細】
備蓄年休、結婚休暇、忌服休暇、リフレッシュ休暇、フレッシュアップ休暇
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
求人No.：NJB2313888
最終更新日：2026/2/17