※第二新卒※【兵庫勤務】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- 求人番号
- NJB2273028
- 採用企業名
- 東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 職種
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技術系（機械設計・製造技術） - 電子デバイス研究開発
技術系（機械設計・製造技術） - プロセスエンジニア（半導体）
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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兵庫県
- 仕事内容
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弊社では、Si半導体に代わるGaN/SiCパワー半導体の研究開発を推進しております。
当部門は株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、設計要求・開発計画に基づき、当部門でプロセスインテグレーション、ユニットプロセス、材料（エピ）開発を行っています。
半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
■休日：完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始
- 求める経験
年齢制限の理由 -
【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
【尚可】
・GaNまたはSiCに関する知見
・エピタキシャルプロセス開発に関する知見
・デバイスメーカ、半導体製造装置メーカ在籍の方
■職種未経験者：不可
- 想定年収
- 450万円 - 1200万円
- 受動喫煙対策
- 就業場所 原則禁煙（分煙）
- 受動喫煙対策詳細