【富山】メモリデバイス向け絶縁膜プロセス開発エンジニア
想定年収
600万円 ~ 750万円
勤務地
富山県
従業員数
1,148名（※連結:2,540名（2025年3月31日時点））
仕事内容
■業務内容
NAND向け半導体製造装置のプロセス設計エンジニアとして業務を担って頂きます。
■具体的な業務
・装置設計者と協業し、新規開発装置に対応したプロセス開発、プロセス開発観点からの装置構造の検討
・NANDデバイス用膜種の次世代デバイスへの応用化
・デバイスの3D化、複雑化に対応した成膜プロセスの開発
・プロセスに関する顧客対応（顧客との折衝・プロセス分析結果のプレゼンテーション）
・半導体薄膜の質量分析、電子分光、電子顕微鏡観察などを行い、プロセスの最適化に向けた開発の提案
※クリーンルームでの開発業務とデスク業務の割合はおおよそ半々となっており、クリーンルームでの作業は毎日発生します。
■配属想定部署
NAND向け絶縁膜プロセス開発グループ
(当グループは、他のプロセス部門とは異なりプロセス開発と並行して半導体装置の開発も行っている部門となります。装置設計者と協業しながら、新規装置へ適応する成膜プロセスの開発を行っていただきます。プロセス開発だけではなく、ハード面の知見も得て頂く事で将来装置全体仕様の検討やプロジェクトリードを担っていただけます）
■当ポジションの魅力
①装置とプロセスの両方の開発を行う部署のため、プロセス開発にとどまらず、今後の主力となる新しい装置の開発にも携わることができます。また、装置設計者やシミュレーショングループと密接に連携することで、ハードウェアに関する知識や技術的知見も幅広く身につけられます。
②海外の大手企業が顧客のケースが多いため、グローバルで最先端開発に関わることができます。
③学会聴講にも積極的に取り組んでおり、半導体に関する最新の知識を幅広く吸収できる機会が豊富にあります。
仕事内容変更範囲
会社の指示する業務
職位
スタッフクラス
募集背景
【募集背景】
半導体市場は拡大の一途をたどっており、性能向上に向けた革新技術を伴う新技術開発で各社凌ぎを削っています。
最先端の半導体プロセス技術の進化速度は年々加速しており、開発体制の強化に伴う募集を行っております。
募集人数
ー
応募条件
技能/経験
■必須条件：
理系バックグラウンド（化学・物理・電気電子系・材料化学等）があり、エンジニアとしての業務経験がある方
■歓迎条件：
・半導体関連業界にて膜種を問わず成膜プロセス開発の経験がある方
・大学時代に半導体、表面化学に関する研究をしていた方
・デバイスメーカ及び研究機関などでのプロセス開発の経験がある方
■求める人材像：
・得られた結果に対し幅広く考察・議論し、それをもとに先輩・上司へ提案できる方
・難解な課題に積極的にチャレンジし、最先端の技術を創出する高い意欲のある方
・自身の意見を簡潔に説明し、相手の意見も引き出せるコミュニケーション力の高い方
学歴
高専
職務経験
不問
業界経験
不問
年齢
年齢制限不問
英語力
その他語学力
語学力詳細
ー
勤務条件
雇用形態
無期雇用
試用期間
有り(3か月)
給与
月給制
年収：600万円 ~ 750万円
月収：30万円～38万円
月額基本給：30万円～38万円
賞与・インセンティブ
年2回
※支給月：6月、12月
昇給
有り 年1回 / 4月
勤務地
富山県
【富山事業所】
富山県富山市八尾町保内2丁目1番地
・JR高山線「越中八尾駅」より車で5分
・朝夕は、コミュニティバスの運行あり（越中八尾駅〜会社、所要時間15分）
・自動車や自転車での通勤可（バイク/原付での通勤は不可）
勤務地変更範囲
出向
就業時間
09:00～17:30
休憩時間：45分
残業：月20時間～30時間程度
所定労働時間:7時間45分
フレックスタイム制:あり
・コアタイム 10：30〜15：00
・フレキシブルタイム 6：00〜10：30、15：00〜21：30
残業手当
通常の残業代
通勤手当
交通費：全額支給
その他手当
休日・休暇
完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
年間休日：125
年間有給休暇：初年度 24日 1か月目から
※有給付与日数は入社月により異なります。
【休日・休暇詳細】
年間休日 2024年度実績
社会保険
雇用保険, 健康保険, 労災保険, 厚生年金
福利厚生
【制度】企業年金、財形貯蓄、住宅手当(支給条件あり)、育児・介護のための休職・短時間勤務等
【施設】独身寮(入居基準あり)、社宅、診療所、食堂、売店等
受動喫煙対策
就業場所 全面禁煙
備考
※上記年収は残業等の諸手当を含むモデル年収です。年齢・経験・スキルにより、採用時に決定致します。
選考内容
選考プロセス
適性試験：無し 、 面接回数：2回
求人No.：NJB2252987
最終更新日：2025/12/16
企業情報
企業名
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代表者名
代表取締役 社長執行役員 塚田 和徳
設立
2017年2月
従業員数
1,148名（※連結:2,540名（2025年3月31日時点））
資本金
14,086,100,000円
本社所在地
〒101-0045 東京都東京都千代田区大手町一丁目9番5号 大手町フィナンシャルシティ ノースタワー 23階
〒100-0004 東京都千代田区大手町一丁目９番５号 大手町フィナンシャルシティ ノースタワー 23 階
株式公開
プライム
日系・外資
日系
事業内容
半導体製造装置の製造及び販売。
事業に関する特色
【世界トップクラスの半導体製造装置メーカー】
スマートフォンやタブレット、電化製品など、暮らしを豊かにしてくれるモノの中には最先端技術でつくられる半導体が内蔵されています。当社はその半導体をつくりあげる製造装置を独自に開発・製造・販売している製造機器メーカーです。世界トップレベルの技術力と生産性を追求し、特に縦型拡散CVD装置分野では、世界シェア50％超。業界をリードする技術集団です。
同社は、株式会社日立国際電気から独立して、新たにKKRファンドのもとで半導体製造装置事業の専門メーカーとして2 0 1 8 年6月1日より「株式会社KOKUSAI ELECTRIC」を新たにスタートしました。同社を取り巻く半導体の市場環境は、IoT社会の浸透、データセンター需要の増大や電子機器の多様化によるメモリー市場の拡大と、AI・自動運転・通貨マイニングなどの加速による幅広いデバイス市場の活性化により半導体全体の需要が拡大し、大きな転換期を迎えています。この市場環境の変化に伴い、半導体製造装置業界も新たな成長局面を進行しています。
同社は新生会社として、この大きな市場環境変化のお客さまニーズに、これまで培ってきた成膜技術をコアに先端技術でお応えし、成膜リーディングメーカーをめざしていきます。常にお客さま視点でのイノベーション企業として、スピーディーな事業オペレーションを展開し、高品質な製品・サービスの提供に努め、ますます高度化する社会インフラへ、テクノロジーで重要な責任を果たしていきます。
会社の特色
【同社の強み】
高スペックな半導体の製造において最も重要な工程である「成膜プロセス」を担当する装置を主力事業としています。
半導体は、ウェーハと呼ばれる基板上に複数の「薄膜」を何層も重ね、電子回路を製造します。
バッチサーマルプロセス装置とは、薄膜を均一に形成する半導体製造装置で、高品質な一括処理が可能です。
トップレベルのシェアを誇る同社の「バッチサーマルプロセス装置」は、高生産性と高精度な薄膜形成制御が特徴です。
半導体をつくる装置は、細菌よりも小さいゴミも発生させない環境下で制御をしており、クリーンルームは維持管理のコストがかかります。同社の装置は省スペース且つ大スロットであることで、非常に高い生産性を実現させています。
その他の特色
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売上実績
求人No.：NJB2252987
最終更新日：2025/12/16