【横浜】高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
- 求人番号
- NJB2358334
- 採用企業名
- 化合物半導体デバイスメーカー
- 職種
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技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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神奈川県
- 仕事内容
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【職務内容】
高周波化合物半導体エピタキシャル結晶成長技術開発及び量産展開
【具体的にお任せする業務】
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの設計
〇高周波GaN HEMT用エピタキシャル成長技術開発
〇生産技術開発及び生産への展開
【仕事の特徴・面白さ】
化合物半導体技術を用いた通信インフラ用デバイスで世界ナンバーワンになることへの挑戦及び研究、技術、製品開発、製造、顧客サポートを通じ次世代ソリューションを提供し続ける部署です。
各々の持つ技術が持続発展的社会を実現することに、強いやりがいを感じることができます。
■休日:完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始
- 求める経験
年齢制限の理由 -
【応募資格】(専門知識/能力)
以下のいずれかの経験をお持ちの方
・各種半導体ウェーハエピタキシャル成長研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・関連する半導体プロセス技術に関するスキル保有者
・化合物半導体トランジスタの開発経験者でエピタキシャルウェハへの間接的な知見保有者
【以下の経験・技術をお持ちの方を歓迎します。】
〇高周波化合物半導体エピタキシャルウェハの知識をお持ちの方
〇GaN HEMT用エピ成長技術開発の経験がある方
〇エピウェハの生産技術開発及び生産への展開経験のある方
■職種未経験者:不可
- 想定年収
- 450万円 - 800万円
- 語学力
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英語力:初級以上TOEIC500以上(必須ではありません)
- 受動喫煙対策
- 受動喫煙対策詳細
- 就業場所 屋内禁煙
