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求人情報詳細

【富山】メモリデバイス向け絶縁膜プロセス開発エンジニア

求人番号
NJB2252987
採用企業名
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
職種

技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)

雇用形態
無期雇用
勤務地
富山県
仕事内容

■業務内容
NAND向け半導体製造装置のプロセス設計エンジニアとして業務を担って頂きます。

■具体的な業務
・装置設計者と協業し、新規開発装置に対応したプロセス開発、プロセス開発観点からの装置構造の検討
・NANDデバイス用膜種の次世代デバイスへの応用化
・デバイスの3D化、複雑化に対応した成膜プロセスの開発
・プロセスに関する顧客対応(顧客との折衝・プロセス分析結果のプレゼンテーション)
・半導体薄膜の質量分析、電子分光、電子顕微鏡観察などを行い、プロセスの最適化に向けた開発の提案
※クリーンルームでの開発業務とデスク業務の割合はおおよそ半々となっており、クリーンルームでの作業は毎日発生します。

■配属想定部署
NAND向け絶縁膜プロセス開発グループ
(当グループは、他のプロセス部門とは異なりプロセス開発と並行して半導体装置の開発も行っている部門となります。装置設計者と協業しながら、新規装置へ適応する成膜プロセスの開発を行っていただきます。プロセス開発だけではなく、ハード面の知見も得て頂く事で将来装置全体仕様の検討やプロジェクトリードを担っていただけます)

■当ポジションの魅力
①装置とプロセスの両方の開発を行う部署のため、プロセス開発にとどまらず、今後の主力となる新しい装置の開発にも携わることができます。また、装置設計者やシミュレーショングループと密接に連携することで、ハードウェアに関する知識や技術的知見も幅広く身につけられます。
②海外の大手企業が顧客のケースが多いため、グローバルで最先端開発に関わることができます。
③学会聴講にも積極的に取り組んでおり、半導体に関する最新の知識を幅広く吸収できる機会が豊富にあります。


■休日:完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始

求める経験
年齢制限の理由

■必須条件:
理系バックグラウンド(化学・物理・電気電子系・材料化学等)があり、エンジニアとしての業務経験がある方
■歓迎条件:
・半導体関連業界にて膜種を問わず成膜プロセス開発の経験がある方
・大学時代に半導体、表面化学に関する研究をしていた方
・デバイスメーカ及び研究機関などでのプロセス開発の経験がある方
■求める人材像:
・得られた結果に対し幅広く考察・議論し、それをもとに先輩・上司へ提案できる方
・難解な課題に積極的にチャレンジし、最先端の技術を創出する高い意欲のある方
・自身の意見を簡潔に説明し、相手の意見も引き出せるコミュニケーション力の高い方


■職種未経験者:可

想定年収
600万円 - 750万円
受動喫煙対策
就業場所 全面禁煙
受動喫煙対策詳細

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